ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ АЛМАЗА

摘要

Проведено исследование фотоэлектрического преобразователя на основе p-i-структуры из синтетического алмаза. P-i-структура представляет собой подложку, выращенную методом НРНТ (high pressure-high temperature) при повышенном давлении и температуре алмаза p-типа, сильно легированного бором, на которую нанесена алмазная CVD (Chemical vapor deposition) типа Па толщиной ～50 мкм. На подложку наносились сплошные контакты, на CVD-пленку - как сплошные, так и полупрозрачные контакты. Проведено исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя альфа-, рентгеновского, ультрафиолетового излучений для сплошных и полупрозрачных контактов. По полученным экспериментальным данным проведена верхняя оценка эффективности преобразования (к.п.д.) энергии всех этих излучений, которая составила 4.5-14%.