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机译:当通过标准技术确定时,评估晶体平面(HKL)的最大允许偏差角度从单晶样品的给定几何平面的偏差角度
机译:氧在阶梯状Ni表面3(hkl)×(111)上的比较密度泛函理论研究[hkl =(111); (100); (110)]:露台定向的作用
机译:碱性电解质中的氧电催化:Pt(hkl),Au(hkl)和Pd改性的影响
机译:Au(hkl)和Pt(hkl)上Pd亚单层膜的模拟研究及其与欠电位沉积的关系
机译:利用分子束外延的GE(HKL)和Si(HKL)对纯B层的生长和表征
机译:Cu(HKL)表面对映选择性表面化学的结构敏感性
机译:de Curraize等人的勘误在变形杆菌中发现的两个新SGI1-LK变体和沙门氏菌基因组岛的SGI1-HKL组的进化
机译:取向对pd / pt纳米薄膜(hkl)的影响(电沉积,表征和pd-H取向电化学等温线对pd / pt(hkl)纳米薄膜的影响)
机译:纹理对脉冲中子源原位测量的hkl依赖性粒间应变的影响