3端子スピン蓄積デバイスにおけるHanle効果信号の解析

摘要

本研究では，3T-SAデバイスで観測されるHanle効果による信号をスピン拡散方程式のインパルス応答を用いて解析を行った．Siチャネルに蓄積したスピンによるHanle効果の信号波形はLorentz型とはならず，トラップスピンによる信号波形（Lorentz型）と分離できることを明らかにした．さらに，高品質のCoFe／MgO／Si接合をスピン注入源とした3T-SAデバイスを作製し，このデバイスによって観測されたHanle効果による信号波形は上記の2つの関数形の重ね合わせを用いることで精度よくフィットできることを明らかにした．