Ползучесть титанокремнистого карбида Ti_3SiC_2 в условиях микроиндентирования при комнатной температуре

摘要

На спеченном титанокремнистом карбиде Ti_3SiC_2 методами микроиндентирования с автоматической записью диаграмм нагружения, выдержки и разгрузки (индентор - алмазная пирамида Веркозича, температура - комнатная, максимальная нагрузка - 4 Н, скорость нагружения - 0,01-0,8 Н/с, время выдержки при постоянной нагрузке - 50 с) и растровой электронной микроскопии изучены кинетика внедрения индентора и изменение твердости, а также характер разрушения вокруг отпечатков в условиях ползучести материала при постоянной нагрузке. Получены эмпирические выражения, описывающие кинетические кривые ползучести h_c(t), скорости ползучести V_(hc)(t), а также снижения твердости при ползучести H_c(t). Изучено влияние скорости нагружения и величины постоянной нагрузки при последующей выдержке на характеристики ползучести. Предложено объяснение эффекта повышения характеристик ползучести титанокремнистого карбида Ti_3SiC_2 при увеличении скорости нагружения и величины постоянной нагрузки, в котором использованы известные представления о релаксации напряжений, вызванных упругими деформациями, с учетом их протекания в данном материале. Поведение характеристик ползучести, установленное для титанокремнистого карбида Ti_3SiC_2, сопоставлено с таковым для материалов, имеющих различные кристаллическую структуру и тип межатомных связей: титан, кремний, графит, карбид титана.