Особенности изменений характеристик микродефектов в монокристаллах Cz-Si после облучения высокоэнергетическими электронами по данным к

摘要

Проведены теоретические и экспериментальные исследования облученных высокоэнергетическими электронами (Е = 18 МэВ) кристаллов кремния с помощью метода кривых дифракционного отражения (КДО) рентгеновских лучей. Для объяснения особенностей в поведении КДО в зависимости от дозы облучения и порядка отражения использованы соотношения обобщенной динамической теории брэгг-дифракции рентгеновских лучей в кристалле, содержащем дефекты нескольких типов (сферические и дискообразные кластеры, дислокационные петли) и нарушенный поверхностный слой. Изучены динамика изменения концентрации и размеров доминирующих дефектов в кристаллах в результате облучения, а также влияние доминирующих типов микродефектов на когерентную и диффузную компоненты КДО.