ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА СТОЛБЧАТЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНКАХ YBACUO

摘要

Исследовано влияние лазерного облучения на структуру и свойства эпитаксиальных сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7-delta (Tc=90-91 K), выращенных на подложках SrTiO3 и LaAlO3 и имеющих систему пирамидальных выступов, встроенных в основной монокристаллической структуре пленок с ориентацией системы плоскостей (00l), параллельных поверхности подложки. Показано, что выступы представляют собой ростовые дефекты, являющиеся результатом релаксации накапливающихся напряжений за счет несоответствия кристаллографических параметров растущих слоев пленки и подложки. Возникающие в результате релаксации напряжений островки структуры приобретают ориентацию (11l) или (10l) и растут вверх над пленкой, прорастая сквозь ее слои. Показано, что с помощью лазерного облучения в режиме коротких импульсов можно модифицировать структуру диэлектрических кластеров и сгладить рельеф поверхности пленок при незначительном (на 5-10%) уменьшении концентрации сверхпроводящей фазы. Увеличение плотности энергии выше 100 mJ/cm2 и количества импульсов выше пяти вызывает увеличение объема диэлектрических фаз и ухудшение параметров образцов.