МОДИФИКАЦИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И РЕЗОНАНСНЫХ СОСТОЯНИЙ НА НЕСИММЕТРИЧНЫХ КОРОТКОДЕЙСТВУЮЩИХ ДЕФЕКТАХ ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ СЖАТИИ

摘要

В рамках кр-метода изучена модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах в полупроводниках А3В5 под влиянием гидростатического сжатия Расчет примесного вклада в плотность состояний проведен с использованием многозонного обобщения приближения Костера-Слетера для дефектов, несимметричных вдоль осей [001], [110] или [111]. Исследован переход между резонансным и локализованным состояниями, описан механизм появления и исчезновения пары уровней под действием сжатия. Обсуждены возможности сравнения результатов расчета с экспериментальными данными.