ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ, ВИСМУТА И СУРЬМЫ

摘要

Наночастицы галлия, индия, висмута и сурьмы получены методом термического испарения на стеклоуглеродную подложку при давлении аргона 6 × 10~3 Па и температуре расплавов 330-380°C. Установлено, что время испарения, температура расплава и подложки определяют размеры, плотность и форму наночастиц и кристаллитов. Высокое поверхностное натяжение расплава галлия и превышение температуры подложки над температурой его кристаллизации обеспечили увеличение плотности приуменьшении размеров наночастиц. Низкое поверхностное натяжение и превышение температуры кристаллизации выше температуры подложки способствовали образованию кристаллитов сурьмы в форме, подобной форме ее элементарной ячейки. Увеличение температуры расплава и подложки увеличивало размеры и плотность наночастиц индия и висмута.