ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ФАЗЫ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ПЛЕНОК Ti_(1-x)Co_xO_(2-δ)

摘要

Исследованы условия и механизм возникновения ферромагнитной фазы в оксидном полупроводнике Ti_(1-x)Co_xO_(2-δ)Установлено, что ферромагнетизм при комнатной температуре в пленках оксида TiO_(2-δ), легированного Со, осажденных на подложках SrTiO_3(100), проявляется только в ограниченном интервале концентраций носителей заряда 2 × 10~18-3 × 10~22 см~-3. Минимальная концентрация носителей заряда, при которой наблюдается возникновение ферромагнитной фазы, увеличивается при уменьшении содержания кобальта в материале. Носителем ферромагнетизма в пленках Ti_(1-x)Co_xO_(2-δ) являются обогащенные Со кластеры, достигшие критического размера.