Установка станции ректгеноструктурного анализа на боковом пучке 19-полюсного сверхпроводящего вигглера дает возможность помимо использования центрального пучка СИ с длиной волны 0.5 А решать задачи, требующие более мягкого рентгеновского излучения при интенсивности СИ, большей, чем на пучках из поворотного магнита. Численное моделирование процесса создания фотонов от источника и прохождения созданных лучей через элементы станции (как и через станцию в целом) позволяет рассчитать параметры станции, сравнить станцию с уже существующими анало-гами, определить ее возможности и фактическую эффективность ее элементов, оценить качествоналадки. Выполнено численное моделирование источника СИ на боковом пучке из вигглера, фокусирующего канала (сегментированное зеркало- конденсор, монохроматор с саггитальной фокусировкой сегментированным вторым кристаллом, сегментированное фокусирующее зеркало). Определены размеры фокуса и расходимости лучей в нем с учетом конечных размеров сегментов. Определена величина интенсивности излучения в фокусе с длиной волныλ = 1.0 А с учетом потерь в канале вывода СИ и в фокусирующем канале. Вычислены величины критической длины волны для бокового пучка вигглера и разрешения по длинам волн. Определены интенсивности рентгенограммы и угловые разрешения на ней.
展开▼
