ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ТОНКОМ СЛОЕ КРИСТАЛЛОВ LIF ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВУФ-ИЗЛУЧЕНИЯ БАРЬЕРНОГО РАЗРЯДА

摘要

Под действием излучения барьерного разряда в поверхностном слое кристалла фторида лития, использованного в качестве диэлектрического барьера, создаются люминесцирующие центры окраски. По кинетике затухания и спектрам люминесценции установлено, что это F_3~+ - и F_2-центры. Основным механизмом генерации структурных дефектов является фотонный механизм, т. е. механизм образования дефектов, вследствие создания электронно-дырочных пар, в результате поглощения фотонов барьерного разряда. Барьерный разряд в различных газах может быть успешно использован для создания на поверхности прозрачных диэлектриков тонких слоев, содержащих центры люминесценции для различных научных и технологических приложений.