АГРЕГИРОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОЧАСТИЦ НА Х-СРЕЗЕ КРИСТАЛЛА LiNbO3:Cu ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПОЛЯМИ ФОТОРЕФРАКТИВНЫХ ГОЛОГРАММ

摘要

Описана технология поверхностного легирования пластины Х-среза ниобата лития ионами меди методом высокотемпературной диффузии из металлической пленки. Представлены результаты экспериментов по агрегации диэлектрических наночастиц на поверхности полученного образца электрическими полями фоторефрактив-ных голографических решеток, формируемых за счет фотогальванического механизма лазерными пучками с длиной волны 532 нм.