КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ОСТРОВКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКА

摘要

Представлены результаты численного моделирования образования зародышей карбида кремния SiC в виде порошков в плазме разряда и островков тонкой пленки на субстрате Si(100) при газофазной эпитаксии. Представлены модели плазмоподобных сред и неравновесных процессов, сопровождающих фазовые переходы 1-го рода (конденсации, кристаллизации) на начальной быстропротекающей (флуктуационной) стадии. Решение кинетических уравнений в частных производных и стохастических уравнений-аналогов в форме Ито-Стратоновича позволяет получить нестационарную эволюцию функций распределения зародышей по размерам, что дает возможность уточнить механизмы формирования политипов микрокристаллического состояния, рассчитать скорость зародышеобразования и начальную шероховатость покрытия субстрата карбидом кремния.