首页> 外文期刊>Физиκа плазмы >ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ АЗОТА НА 'АНОМАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ПАМЯТИ' ПРИ ПРОБОЕ АРГОНА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ В ДЛИННОЙ РАЗРЯДНОЙ ТРУБКЕ
【24h】

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ АЗОТА НА 'АНОМАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ПАМЯТИ' ПРИ ПРОБОЕ АРГОНА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ В ДЛИННОЙ РАЗРЯДНОЙ ТРУБКЕ

机译:氮杂质对长放电管低压氩试验时“异常记忆效应”的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

В импульсно-периодическом разряде в Ar и смеси Ar + 1%N_2 выполнены исследования "эффекта памяти" - зависимости динамического напряжения пробоя U_b от величины временного интервала τ между импульсами. Разряд зажигался в трубке диаметром 2.8 см, расстояние между электродами 75 см. Измерения проделаны для давлений газа P= 1; 2 и 5 Topp и токах в установившемся разряде I= 20 и 56 мА. Пробой осуществлялся импульсами напряжения положительной полярности, диапазон интервалов между импульсами τ = 0.5-40 мс. В этом диапазоне т наблюдается локальный максимум на зависимости U_b от т ("аномальный эффект памяти"). Показано, в частности, что добавка азота приводит к заметному сужению диапазона значений τ, в котором имеет место указанный эффект. Для анализа полученных результатов для экспериментальных условий проведены расчеты параметров плазмы в стационарном разряде (в Ar и смеси Ar + 1%N_2) и в послесвечении. На основании проведенного анализа можно заключить, что влияние примеси азота на вид зависимости U_b(τ) в значительной степени обусловлено тем, что добавка азота в аргон приводит к заметному изменению скорости распада плазмы в послесвечении.
机译:在AR和Ar + 1%N_2混合物中的脉冲周期性放电中,执行从脉冲之间的时间间隔τ的值的“记忆效应”依赖性击穿U_B的动态电压。排出的直径为2.8厘米,电极之间的距离为75厘米。压力压力P = 1的测量完成;建立放电I = 20和56 mA中的2和5个TOPP和电流。通过脉冲的脉冲进行脉冲,脉冲τ= 0.5-40ms之间的间隔范围进行击穿。在该范围T中,从T(“异常记忆效应”)上观察到局部最大值。特别地示出了氮添加剂导致值τ的显着缩小,其中发生指定的效果。为了分析实验条件所获得的结果,静止放电中的血浆参数(在Ar和Ar + 1%N_2混合物中的血浆参数计算)和余辉。基于分析,可以得出结论,氮杂质对依赖性U_B(τ)的影响主要是由于氮气进入氩气的添加剂导致余辉中的等离子体衰减率的显着变化。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号