МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОЗАТВОРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР КАК ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ

摘要

Разработана и исследована референсная модель для анализа SGMOS (split gate MOS) транзисторов. Показано, что применение расщепленного затвора вполне эффективно в модуляционно-легированных структурах класса PDCFET. Сни-жение крутизны, быстродействия и изменение BAX транзис-торных структур не носит катастрофического характера вплоть до температур 200...250°C.