Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных

摘要

С помощью спектроскопии КРС и электроотражения исследованы SiGe-наноостровки в кремниевой матрице, выращенные в интервале температур от 300 до 600oC. Для островков, сформированных при относительно низких температурах (300-500oC), загеристрирован дублетный характер фононных полос. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Как следствие изменяются резонансные условия процесса КРС. Установлено, что процесс интердиффузии из кремниевой подложки и покровного слоя, определяющий смешанный SiGe-состав наноостровков, оказывается актуальным даже при низких (300-400oC) температурах выращивания наноструктур.