GaN単結晶基板の作製技術

摘要

GaN系窒化物半導体（一般式AI_xIn_yGa_(1-x-y)N）デバイスは，青色や白色の発光ダイオード（Light Emitting Diode，LED）や，光ディスク用途あるいはプロジェクタ用途の青紫色レーザーダイオード（Laser Diode，LD）として，既に生活に深く浸透しているまた，RF·パワーデバイスとしても応用が進hでいる．GaNは融液成長が困難であり，長らくバルク単結晶基板は存在しなかった．適当な格子整合基板も存在しないため，デバイスの作製は，格子不整合度の大きいサファイア基板等を用いたヘテロエビタキシーによらざるを得ない状況が続いていた．