КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ В ШИРОКОМ ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР

摘要

Показана возможность определения толщины, электропроводности, эффективной массы, коэффициентов рассеяния носителей заряда, концентрации и энергии активации примеси полупроводниковых слоев по результатам измерения частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного сверхвысокочастотного (СВЧ) излучения при различных температурах. Приведена методика решения соответствующей обратной задачи.