...
首页> 外文期刊>Автометрия >АНАЛИЗ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ
【24h】

АНАЛИЗ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ

机译:多元素IR光电探测器构建硅复用器的原理分析

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Рассмотрены основы построения кремниевых мультиплексоров для линейчатых и матричных ИК-фотоприемников. Представлены кремниевые мультиплексоры, предназначенные для совместной работы с многоэлементными фотодиодными детекторами на основе соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ), с многоэлементными фоторезистивными детекторами с использованием многослойных структур с квантовыми ямами и другими типами фотодетекторов со спектральной чувствительностью в ИК-диапазонах 3-5 и 8-16 мкм. Типоразмерный ряд мультиплексоров содержит 19 моделей, отличающихся форматом, входными схемами, зарядовой емкостью и шагом ячеек. На базе разработанных мультиплексоров созданы гибридные и монолитные фотоприемники различных форматов для среднего и дальнего ИК-диапазонов с достаточно высоким (< 0,02 К) разрешением по температуре.
机译:考虑了用于线路和矩阵IR光电探测器的硅多路复用器的构造的基础。硅多路复用器用于基于镉 - 汞 - 碲化合物(KTR)的多元素光电二极管探测器的合作,其中多层元件光致抗蚀剂探测器使用多层结构,其中具有量子阱和其他类型的光电探测器,IR范围3- 5和8-16微米。一系列多路复用器包含19个格式,输入电路,电荷罐和俯仰单元格的型号。在开发的多路复用器的基础上,用足够高(<0.02k)温度分辨率产生各种形式的杂种和单片光电探测器。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号