ПРИЁМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК PbSnTe:In, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В ТЕРАГЕРЦОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА

摘要

Представлен обзор исследований фотоэлектрических свойств плёнок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и параметровфоточувствительных структур дальнего ИК- и субмиллиметрового диапазонов на их основе. Сравниваются параметры многоэлементных фотоприёмных устройств этого типа и приёмников на основе примесных полупроводников и сверхпроводников. Реализованы линейчатые (2×128 элементов) и матричные (128×128 элементов) многоэлементные фотоприёмные устройства на основе PbSnTe:In с краем чувствительности ～22 мкм и рабочей температурой Т ≤ 16 К. В бесфоновых условиях мощность, эквивалентная шуму, достигала значений МЭШ≤10~(18) Вт/Гц~(0,5) при Т = 7 К по источнику излучения типа абсолютно чёрное тело с Т_(АЧТ) = 77 К. В субмиллиметровой области спектра наблюдалась чувствительность к лазерному излучению с длиной волны λ ≤ 205 мкм и величиной МЭШ≤10~(-12) Вт/Гц~(0,5) без оптимизации конструкции макета фоточувствительного элемента и минимизации шумов схемы измерений. Рассмотрены направления развития приёмников излучения на основе PbSnTe:In.