GaNデバイスを搭載した高効率で小形のLED照明用点灯回路

摘要

次世代パワー半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ半導体は，電力変換器の高効率化と小形化に大きく貢献すると期待されている。なかでもGaNは，電気抵抗が小さく電子飽和速度が高いことから，高速かつ高効率のスイッチング動作が可能である。東芝ライテック（株）は，GaNデバイスをLED（発光ダイオード）照明用点灯回路に応用することで放熱機構や受動部品を小形化したGaN点灯回路とその周辺技術を開発した。更に，これらを適用した50W形のミニクリプトン形LED電球のプロトタイプを試作し，その効果を確認した。