Проанализирована необходимость исследования запоминающих устройств в целях выявления причин их неработоспособности. На примере элементов памяти типа DDR2 SDRAM показано, что причиной выхода из рабочего состояния элементов памяти является разрушение проводящей дорожки, или зоны металлизации. Это со временем приводит к уменьшению электрического заряда, хранящегося в ячейке, что может привести к потере данных. Предлагается методика восстановления металлизации путем применения зонда атомно-силового микроскопа в качестве коллоидного датчика.
展开▼
