Найден предел затухания (или добротности) d'=1/Q' излучателя, обеспечивающий большую широкополосность, чем известный предел d; установлено различие между затуханием d{sub}э, вычисляемым по энергетическому соотношению между активной и реактивной мощностями в излучателе, и затуханиями of, d', определяемым по такому же соотношению, но не в самом излучателе, а в его приближенной эквивалентной схеме; установлена причина различия между d и d'; обнаружено, что параметры L, С эквивалентной схемы излучателя при вычислении d положительны во всем диапазоне резонансных частот, а при вычислении d' они положительны только в низкочастотной части диапазона; найдены затухания с учетом реактивности в сферической полости излучателя и дано их сравнение с затуханием однородного шара из немагнитного диэлектрика и с результатами экспериментов; уточнено уравнение для широкополосности при каскадном соединении n контуров (считается и излучатель); рассмотрены: влияние частости структуры сферической оболочки на широкополосность, увеличение широкополосности при переходе к круговой поляризации для излучателей с КНД = 1,5 и 3 (без экрана), роль обмена реактивными мощностями по кратчайшему пути.
展开▼
