首页> 外文期刊>Известия Высших учебных заведений и энергетических объеденений СНГ. Энергетика >Расчет вольт-амперных характеристик полевых транзисторов в интегральных схемах аналитическими методами
【24h】

Расчет вольт-амперных характеристик полевых транзисторов в интегральных схемах аналитическими методами

机译:分析方法计算集成电路现场晶体管的伏安特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Приводятся аналитические решения и формулы для расчета вольт-амперных статических характеристик МОП-транзисторов. Расчеты основаны напроверках принципа сохранения зарядов, что дозволяет надежно определить ожидаемые параметры новых приборов при различных технологических условиях. Программы также учитывают граничные условия, которые имеют место в p-n-переходе в области стока и сильно влияют на режимы транзисторов. Результаты использованы для анализа различных физических процессов переноса зарядов, что обычно не может быть выполнено с помощью существующих численных схем. Разработаны алгоритмы для определения подвижности электронов и квазиуровней Ферми. Программы также включают аналитические формулы, ранее полученные автором для расчетов кривых, распределения примесей.
机译:用于计算MOS晶体管的静压伏安特性的分析溶液和公式。计算是基于Naproverkah保护费用,这使您可以在各种过程条件下可靠地确定新仪器的预期参数。该计划还考虑了在漏极区域的P-N转变中发生的边界条件,以及对晶体管模式的强烈影响。结果用于分析通常由现有数值方案不实现的电荷转移的各种物理过程。用于确定电子和准fermi水平的移动性的算法。该计划还包括先前由作者获得的分析公式,用于计算曲线,杂质分布。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号