Туннельная эмиссия электронов из нанокомпозиционных алмазографитовых пленочных структур

摘要

Экспериментально установлено и обосновано с использованием квантово-механических представлений влияние режима осаждения алмазографитовых пленочных структур в неравновесной СВЧ-плазме паров этанола низкого давления на их автоэмиссионные характеристики. Показано, что выбором режимов осаждения, обеспечивающих уменьшение размеров алмазоподобных нанокластеров в графитоподобных матрицах, достигается уменьшение порога напряженности электрического поля автоэлектронной эмиссии в 4-6 раз по сравнению с аморфными гидрогенезированными углеродными пленками, полученными другими способами.