ホイスラー合金を用いた微小CPP-GMR素子におけるスピン注入磁化反転の観測

摘要

スピン注入磁化反転技術は、Gbitを超える磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の実現に必須の技術である。 しかし、スピン注入MRAMの実現に向けて、反転電流密度(J{sub}(c0))の低減が必要である。 本研究では、高いスピン分極率を有することが示された、Co{sub}2MnSiを用いた面直通電巨大磁気抵抗効果膜(CPP-GMR)を作製し、スピン注入磁化反転を観測すること、さらに、反転電流密度を低減させることを目的としている。