昭和電工、欠陷密度を大幅低減したパワー半導体用SiCエピウエ八ーを販売開始

摘要

昭和電工は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）ェピタキシヤルウエハーの4インチ（100mm）品と6インチ（150mm）品で、結晶欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエビ（HEG）」（商品名）を開発し、今月から販売を開始した。SiCパワー半導体エビタキシヤルウエハーの市場規模は、2025年に1000億円規模に拡大すると予想されており、同社は今後も高度な市場の要求品質に対応する考え。