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【24h】

λ/4先端開放スタブ装荷形V帯サブハーモニック注入同期VCO MMIC

机译:λ/ 4先进的开放存根加载V波段子谐波注射同步VCO MMIC

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摘要

その一方で同期可能な周波数範囲(同期幅)が狭い問題があったため,注入同期VCOを構成する能動素子のソース端子に注入周波数で1/4波長(λ/4)の電気長をもつ先端開放スタブを備えた構成を提案し,同期幅の拡大を図った。GaAs-pHEMTプロセスを用いてV帯でのλ/4先端開放スタブ装荷形サブハーモニック注入同期VCO MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)の試作を行い,位相雑音と同期幅を評価した結果,発振周波数41.2GHz,1MHz離調における位相雑音-106dBc/Hz以下,同期幅800MHzと良好な特性が得られ,A/4先端開放スタブの装荷によって同期幅が14倍に拡大することを確認した。
机译:另一方面,由于同步频率范围(同步宽度)具有狭窄的问题,因此构成喷射同步VCO的有源元件的尖端在有源元件(λ/ 4)的电源端子中打开1/4波长(λ/ 4)。我们提出了一个带有存根的配置并扩展相同的级别。 使用GaAs-Phemt工艺,λ/ 4尖端开口存根子发球学注射同步VCO MMIC(单片微波集成电路)的原型,并评估相位噪声和同步宽度,振荡频率41.2GHz和良好的特征相位噪声-106 DBC / Hz在1MHz的黑色中,获得了良好的特性,并且确认了A / 4尖端开口存根的负载以扩大14次。

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