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JSR、ノントップコート自己架橋型ArFフォトレジスト開発

机译:JSR,Notopcoat自交联ARF光刻胶发育

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摘要

JSRは、回路線幅22nm世代(ハーフピッチ32nm)以降の次世代半導体製造に適用されるダブルパターニング用材料として、トップコートが不要な自己架橋型ArF(フッ化アルゴン)フォトレジストを開発し、線幅26nmハーフピッチの加工に成功したと発表した。
机译:JSR开发一种自交联的ARF(氟化氩气)光刻胶,其不需要顶部涂层作为双图案化材料,该材料在电路线宽22nm宽度22nm(半间距32nm)之后应用于下一代半导体制造,并且它宣布它成功地处理了26 nm半间距的宽度。

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  • 来源
    《石油化学新報》 |2010年第4416期|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 石油化学工业;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-19 22:10:32

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