「高誘電率材料の減圧沸騰噴霧方式気化供給装置」：次世代LSIプロセスに対応

摘要

堀場エステック　（堀場厚社長）　は、同志社大学理工学部千田二郎教授と共同で次世代LSIプロセスで必要とされる高誘電率材料　（High-K）を安定供給できる“減圧沸騰噴霧による気化供給装置”の開発に成功した。これは　（独）　科学技術振興機構　（JST）　の　「独創的シーズ展開事業」　プロジェクトの委託を堀場製作所が受け、06年10月～09年10月の間、堀場エステックが千田教授の研究成果を元に企業化　（開発費約2億6千万円）　を進めていたものである。