Исследованы структурные и транспортные свойства квантовых ям (КЯ) GaAs/Mn/GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs с удаленным от КЯ слоем Mn в диапазоне его содержаний(4...10%), соответствующих так называемому "reentrant"-переходу металл-изолятор, наблюдаемому в объемном GaMnAs. С использованием методов рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии восстановлен профиль распределения слоев Mn и показано, что атомы Mn отсутствуют в объеме КЯ. При этом подвижность дырок в исследованных объектах более чем на два порядка превышала известные значения для магнитных гетероструктур на основе GaMnAs, что позволило наблюдать осцилляции Шубникова-де Гааза, подтверждающие двумерный характер энергетического спектра дырок. В этих условиях показана существенная роль 2D-дырок в ферромагнитном упорядочении Mn-слоя. Доказательством тому является наблюдение максимума в температурных зависимостях сопротивления (при 25...40 К), положение которого согласуется с расчетами температуры Кюри для структур с косвенным обменным взаимодействием через 2D дырочный канал, а также обнаружения отрицательного спин-зависящего магнитосопротивления (ОМС) и аномального эффекта Холла (АЭХ), величина которого также хорошо коррелирует с результатами теоретических расчетов для ферромагнитных 2D Ш-Mn-V систем. В структурах с диэлектрическим типом проводимости выявлены особенности ОМС и АЭХ, свидетельствующие об эффектах фазового расслоения - разбиении образца на мезоскопические ферромагнитные области, отделенные туннельно прозрачными парамагнитными прослойками. Подобные особенности ОМС и АЭХ обнаружены также в слабо диэлектрических пленках InMnAs, что указывает на существенную роль данных эффектов в Ш-Mn-V системах в условиях их близости к переходу изолятор-металл.
展开▼
