ЭЛЕКТРОННЫЕ ЗАМКИ НА ОСНОВЕ СМЕШАННОЙ СИСТЕМЫ СЧИСЛЕНИЯ, РЕАЛИЗОВАННОЙ С ПОМОЩЬЮ РЕЗИСТИВНОЙ МАТРИЦЫ ПАМЯТИ НА БАЗЕ

摘要

Показано, что для решения проблемы защиты информации можно использовать новый носитель информации - резистивную матрицу памяти на базе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии. Это позволяет записывать информацию в смешанной системе счисления, применение которой в запоминающих устройствах электронных замков дает возможность создавать замки с качественно новыми характеристиками. Анализ конструкции электронных замков с использованием математического аппарата для смешанной системы счисления показывает, что можно реализовать ситуацию, при которой даже ознакомление с информацией, хранимой в замке (но не в ключе!) в результате несанкционированного доступа ("взлома") не позволяет "взломщику" открыть замок.