Перспективная альтернатива современным высокочувствительным фотоприемникам инфракрасного диапазона

摘要

Представлены свойства легированных полупроводников на баэе теллурида свинца, на основе которых возможно соэдание высокочувствительных фотонных приемников излучения инфракрасного и субмиллиметрового диапазонов. Показано, что эти свойства позволяют создать фотоприемники с параметрами, существенно превосходящими лучшие мировые аналоги.