К 50-ЛЕТИЮ ОТКРЫТИЯ ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНОГО ЭФФЕКТА - ИСТОРИЯ И СОСТОЯНИЕ РАЗВИТИЯ ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ

摘要

Первый коммерческий пленарный транзистор был изготовлен в 1957 г. фирмой Fairchild Semiconduktor. По сравнению с прежними решениями (сплавной точечный транзистор) он обладал рядом преимуществ, которые имели решающее значение для создания пьезорезистивных датчиков. Отдельные зоны транзистора создаются на поверхности полупроводника путем диффузии. Термически выращенный диоксид кремния (SiO_2) используется как изолятор между компонентами элемента и соединительными цепями из алюминия. Как изолятор, так и соединительные цепи изготовлены по тонкопленочной технологии и структурированы с помощью фотолитографии. Хотя германий имеет более предпочтительные электрические характеристики, например более высокую подвижность электронов и дырок, все же благодаря простоте изготовления квазибездефектных изолирующих SiO_2-слоев с помощью термооксидации базовым полупроводниковым материалом стал кремний. Очень быстро были оценены возможности пьезорезистивного эффекта для измерения механических величин.