Механизм и кинетика формирования структуры и травления тонких пленок фото- и электронорезистов при облучении ионами средних энергий

摘要

Тонкие пленки позитивных и негативных электронорезистов и позитивных фоторезистов облучали ионами В~+ (100 кэВ) иР~+(150 кэВ) дозами 6-10~(12)-10~(16)см~(-2). Изучено влияние химического строения резиста на эффективность ионного травления. На основании анализа ИК-спектров позитивных фоторезистов определен механизм формирования структуры резиста при облучении.