...
首页> 外文期刊>Приборы и техника эксперимента >ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР αSi-Si(Li)
【24h】

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР αSi-Si(Li)

机译:基于αSi-Si(Li)异质结构的高效半导体探测器的形成的特殊特征

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Рассмотрена технология получения детекторов ядерного излучения на основе гетероструктур αSi-Si(Li). Показано, что по сравнению с традиционными p-n-структурами такие детекторы более эффективны благодаря малой толщине приповерхностного ("мертвого") слоя.
机译:考虑了一种基于αSi-Si(Li)异质结构的核辐射探测器的获得技术。已经表明,与传统的p-n结构相比,由于近表面(“死”)层的厚度小,这种检测器更加有效。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号