Описан лабораторный макет преобразователя инфракрасного изображения, принцип действия которого основан на формировании и перемещениис помощью локального теплового воздействия чувствительной к внешнему излучению зоны на поверхности высокотемпературной сверхпроводящей (в.т.с.п.) пленочной структуры. Измерены основные параметры сформированной зоны: размер А ≈95×95 мкм~2, обнаружительная способность D~* = 1.3·10~8 см ·Гц~(1/2)/Вт, постоянная времени х = 6 мс. Рассмотренный метод поэлементного считывания информации и болометрическая природа чувствительности приемника открывают перспективы использования преобразователя в широком спектральном диапазоне.
展开▼