Исследованы характеристики тонкопленочных кремниевых магнитотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл с встроенным обогащенным каналом и частичным обеднением квазинейтральной области. Конструкция транзисторов интегрирована с элементом Холла. Экспериментально показано, что транзисторы такого типа, получившие название полевых датчиков Холла (п.д.Х.) и изготовленные по технологии "кремний на изоляторе", обеспечивают измерения магнитной индукции в диапазоне температур от 1.7 до 605 К. Теоретические оценки показывают, что верхний предел рабочей температуры п.д.Х. может быть порядка 850 К.
展开▼
机译:研究了具有内建的富沟道和部分耗尽准中性区的金属-绝缘体-半导体-电介质-金属结构的薄膜硅磁晶体管的特性。晶体管设计与霍尔元件集成在一起。实验表明,这种类型的晶体管(称为场效应传感器(霍尔效应传感器))是使用绝缘体上硅技术制造的,可以在1.7至605 K的温度范围内提供磁感应的测量值。理论估计表明,工作温度极限p.d.H.大约850 K
展开▼