Описана конструкция импульсной ионной ионизационной камеры для измерения поверхностной α-активности различных образцов. Созданный на основе ионизационной камеры низкофоновый спектрометр в совокупности с соответствующими методами регистрации и обработки сигналов позволяет обеспечить высокую чувствительность прямых измерений сверхмалых уровней поверхностной α-активности. Это дает возможность решить проблему контроля сверхчистых материалов, используемых при создании детекторов для исследования редких ядерных процессов с нарушенным равновесием в цепи распадов уранового и ториевого рядов. Описана процедура моделирования формы импульсов тока в зависимости от ориентации и местоположения треков α-частиц в камере. Приведены результаты измерений с α-источником, а также с образцами меди и светоотражающей пленки VM2000.
展开▼
