Разработано устройство одноосевого сжатия для определения типа симметрии дефектов в полупроводниковых кристаллах по расщеплению сигнала DLTS. Особенностью устройства является использование в качестве силового элемента монокристаллов сплава Cu-Al-Ni [1] с эффектом памяти формы. Измерение изотермической релаксации емкости в широком температурном диапазоне осуществляется с помощью автоматизированной установки для емкостной спектроскопии полупроводников [2]. Для повышения разрешающей способности метода DLTS и снижения величины необходимого давления на кристалл при обработке релаксационных зависимостей используется интегральное преобразование Лапласа.
展开▼
