ОЦЕНКИ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАЗМЫ МИКРОПИНЧЕВОГО РАЗРЯДА ПО ОСЛАБЛЕНИЮ ПОТОКА РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ФОТОЭМУЛЬСИИ

摘要

Работа выполнена на сильноточной импульсной микропинчевой установке "Зона-2". Исследование пространственной структуры и спектрального состава рентгеновского излучения плазмы проводили с использованием трехканальной камеры-обскуры и набора поглощающих фильтров. Вид кривых ослабления свидетельствует о наличии двух групп электронов различной энергии в области ми-кропинча, и, соответственно, о тепловой электронной Т{sub}е и надтепловой электронной температуре плазмы Т{sub}н (Т{sub}е ≈ 1.9 ± 0.7 кэВ и Т{sub}н ≈ 20 ± 8 кэВ). Для исследования динамики спектра использовали детектор на основе пластического сцинтиллятора. С помощью двух кристаллических спектрографов получены спектры многозарядных ионов. Обнаружено, что изменение поверхности электродов влияет на развитие разряда.