Путем нанесения полупроводниковых пленок CdSe на титановую подложку со сформированным слоем нанотрубок ТiO_2 методом потенциостатической анодной поляризации получены полупроводниковые гетероструктуры NT-TiO_2/CdSe, NT-TiO_2/CdSe_(0.65)esTe_(0.35). Изучены фотоэлектрохимичeские процессы на поликристаллических NT-TiO_2/CdSe_(0.65)Te035 фотоэлектродах. Проанализированы причины увеличения эффективности фотопреобразования после модифицирования поверхности фотоэлектродов NT-Ti02/CdSe_(0.65)Те_(0.35) наночастицами-CdS. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы изучаемых фотоанбдов в фотоэлектрохимической ячейке с накоплением водорода.
展开▼
