ИЗМЕНЕНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ И ПАРАМЕТРА ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕШЕТКИ ПЛЕНКИ ГЕРМАНИЯ НА КРЕМНИИ В ПРОЦЕССЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКС

摘要

Методом дифракции быстрых электронов определено изменение параметра поверхностной решетки растущей пленки Ое в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности 51 и 5Ю2. Установлено, что в момент зарождения трехмерных островков поверхностная решетка германия может увеличиваться по отношению к решетке кремния на 8%; рост островков Ое на окисленной поверхности кремния происходит без образования смачивающего слоя. Выявлено, что начальная стадия послойного роста пленки Ое на поверхностях Si(100) и Si(111) сопровождается периодическим изменением параметра поверхностной атомной решетки, аналогично осцилляциям интенсивности зеркального рефлекса.