Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя

摘要

Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя (ПЛУ) бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминесцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм ПЛУ, выполненных на основе двухсторонних (InGa)P Аs-гетероструктур с раздельным ограничением, и различных СЛД в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.