ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОЧИСТОГО ГАЛЛИЯ ИЗ ОТХОДОВ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

摘要

Изучены процессы глубокой очистки технического галлия, выделяемого из различных видов отходов производства полупроводниковых материалов на основе арсенида и фосфида галлия. Проведена классификация основных видов отходов. На основании закономерностей в поведении примесей в процессах очистки технического галлия различными методами обоснована комплексная технологическая схема получения высокочистого галлия квалификации 99.999%. Показано, что получаемый галлий не уступает по качеству материалу, производимому из традиционного сырья, и обеспечивает высокие характеристики полупроводниковых соединений.