首页> 外文期刊>Известия Аκадемии науκ. Серия Химичесκая >Чувствительность к удару энергетических систем на основе нанопористого кремния и окислителя: влияние содержания водорода и удельной поверхности
【24h】

Чувствительность к удару энергетических систем на основе нанопористого кремния и окислителя: влияние содержания водорода и удельной поверхности

机译:基于纳米多孔硅和氧化剂的能量系统的撞击感度:氢含量和比表面积的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

С помощью модифицированной методики Веллера—Венцельберга (оценки чувствительности к удару инициирующих взрывчатых веществ) исследована чувствительность к удару энергетических систем на основе нанопористого кремния, полученного электрохимическим травлением пластин монокристаллического кремния в HF-содержащем электролите, и перхлората кальция. Показано, что чувствительность к удару таких систем определяется не только наличием водорода, который накапливается на поверхности пористого кремния при его получении, но и влиянием других факторов, включая удельную поверхность пористого кремния. Методами ТГА и измерения объема газа и МС определены состав, количество выделяющегося газа, скорость газовыделения при неизотермическом и изотермическом прокаливании пористого кремния в интервале температур 60—120 °С. Выделяющийся газ практически полностью состоит из водорода, а его содержание в исследованных образцах пористого кремния достигало -3.8 мас.%. Рассчитанная энергия активации процесса газовыделения водорода в вакууме составила 103.7±3.3 кДж·моль~(-1). Установлена зависимость чувствительности энергетической композиции на основе пористого кремния к удару и теплоты сгорания пористого кремния в кислороде от содержания в нем водорода. С уменьшением содержания водорода в пористом кремнии и его удельной поверхности чувствительность к удару энергетической системы снижается.
机译:使用改进的Weller-Wenzelberg技术(评估爆炸物的撞击敏感性),研究了基于纳米多孔硅的能量系统的撞击敏感性,该能量系统是通过在含HF的电解质和高氯酸钙中对单晶硅晶片进行电化学蚀刻而获得的。结果表明,此类系统的撞击灵敏度不仅取决于在生产过程中在多孔硅表面积聚的氢的存在,还取决于其他因素的影响,包括多孔硅的比表面积。通过TGA以及气体和MS的体积测定,可以确定60–120°C温度范围内多孔硅在非等温和等温煅烧过程中的成分,逸出气体量,逸出气体的速率。放出的气体几乎全部由氢组成,在所研究的多孔硅样品中其含量达到-3.8 wt%。真空中氢气析出过程的活化能计算值为103.7±3.3 kJ·mol〜(-1)。已经建立了基于多孔硅的能量组合物对冲击的敏感性和多孔硅在氧中的燃烧热对氢中氢含量的依赖性。随着多孔硅中氢含量及其比表面积的降低,能量系统的冲击灵敏度降低。
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号