GaN-HEMTを用いた2.45GHz帯高効率F級増幅器の設計と試作

摘要

APMC2014 Student Design CompetitionのためのGaN-HEMT増幅器を設計試作した．高調波を考慮しない基本増幅器を試作し，小信号，大信号特性を確認した．特に，発振を防止するための安定化回路の方式による特性の違いをシミュレーションで検討し，発振を防止しつつ所望帯域での影響の少ない方式を選定した．次に，二次高調波，三次高調波をF級負荷回路で処理したF級増幅器を設計し，出力電力8.7W，電力付加効率，54.8%という良好な結果を得た．本報告では，下級負荷回路の設計と試作したF級増幅器の特性について述べる．