Собственная концентрация носителей является одним из фундаментальных параметров полупроводника. Нами [1] на основе термодинамического подхода был проведен анализ реакций рождения и рекомбинации электронно-дырочных пар в Si, Ge и GaAs. Полагалось, что процесс рождения е—h-пары является коллективным процессом, при котором в определенном объеме полупроводника (содержащем ос узлов решетки) происходит флуктуация числа фононов в нем.
展开▼
