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Foreword

机译:前言

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摘要

In September 1957,Carl Frosch and Link Derick published an epochal paper in the Journal of The Electrochemical Society entitled,"Surface Protection and Selective Masking During Diffusion in Silicon."In it they described their 1955 discovery at Bell Labs of ways to form a silicon-dioxide layer on the surface of silicon wafers during the high-temperature diffusion process.In addition,they demonstrated how this glassy protective layer could be etched for use in patterning selected regions of p-type and n-type impurities in the underlying silicon.
机译:1957年9月,Carl Frosch和Link Derick在《电化学学会杂志》上发表了一篇划时代的论文,题为“硅扩散过程中的表面保护和选择性掩蔽”。他们在1955年的贝尔实验室发现了形成硅的方法。高温扩散过程中在硅片表面形成了一层二氧化层。此外,它们还演示了如何蚀刻这种玻璃状保护层,以用于在下面的硅中对p型和n型杂质的选定区域进行构图。

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