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【摘要】电流抗蚀剂材料遭受许多问题，必须解决这些问题以允许存储器和逻辑器件的连续缩放。该研究解决了光酸产生剂（PAG）与聚合物基质的不相容性。这种不相容性导致酸产生效率降低，酸分布和迁移不均匀以及相分离。这些问题最终导致化学放大的抗蚀剂发生不良的，过早的和不均匀的脱保护反应。为了减轻这些问题，提出了将PAG单元并入抗蚀剂链中以制成单组分抗蚀剂，而不是将单体PAG与抗蚀剂聚合物共混。同样，与聚合物结合的PAG抗蚀剂比相应的抗蚀剂具有更高的稳定性，更低的除气量和更低的线边缘粗糙度（LER）。使用自由基聚合合成了聚合物键合的PAG抗蚀剂，即聚（甲基丙烯酸γ-丁内酯-甲基丙烯酸co-2-乙基-2-金刚烷基-co-PAG）。使用193 nm ASML 5500 / 9xx光学光刻系统（具有0.63 NA）对掺入PAG的抗蚀剂以及PAG混合抗蚀剂进行曝光。使用SEM评估暴露的晶片。包含三氟甲磺酸酯PAG的抗蚀剂提供了110 nm（220 nm间距）的线间隔特征和80 nm的隔离特征。 PAG混合抗蚀剂提供了130 nm（260 nm间距）的线间距特征。 110 nm线空间特征的相关光速为8.2 mJ / cm〜2，在路线图标准内。
【作者】N. D. Jarnagin；K. E. Gonsalves；M. X. Wang；J. M. Roberts；W. Yeuh；
【年(卷),期】2006(),
【年度】2006
【页码】P.61534P.1-61534P.11
【总页数】11
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TN304;
